Ｗｈａｔ’ｓ　Ｎｅｗ〜ＦｅＲＡＭの容量が毎年４倍　ケータイのメモリに変革
日経エレクトロニクス　第801号　2001.7.30

この記事の情報
掲載誌	日経エレクトロニクス　第801号（2001.7.30）
ページ数	2ページ　（全3703字）
形式	PDFファイル形式　（40kb）
雑誌掲載位置	33〜34ページ目

　マイクロプロセサやＤＲＡＭなどの主要半導体を対象に，１５年先までを見据えた実現技術や課題を示し，世界の半導体技術者を先導してきたロードマップ「ＩＴＲＳ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　Ｒｏａｄｍａｐ　ｆｏｒ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ）」。２００１年末に公開される，このＩＴＲＳの最新版（２００１年版）に，初めて強誘電体メモリ（ＦｅＲＡＭ）が登場する。２００１年７月１８日に米国…