Ｗｈａｔ’ｓ　Ｎｅｗ〜米Ｉｎｔｅｌ社，相変化メモリの　セル・アレイを試作
日経エレクトロニクス　第800号　2001.7.16

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掲載誌	日経エレクトロニクス　第800号（2001.7.16）
ページ数	2ページ　（全3659字）
形式	PDFファイル形式　（64kb）
雑誌掲載位置	33〜34ページ目

　米Ｉｎｔｅｌ　Ｃｏｒｐ．が，次世代の不揮発性メモリの開発で全力疾走し始めた。かねてから開発中との噂は上りつつも，決して自ら公言することはなかった「相変化メモリ」について，研究・開発成果を２００１年７月に突如発表した。０．１８ｎｍプロセスを使って４Ｍビット品を試作，メモリ・セル・アレイの基本機能を確認した。さらに「高分子メモリ」の研究開発にも着手した。ＮＡＮＤ型をはじめとするデータ格納用途のフラッ…