ニュース・レポート〜ＦｅＲＡＭの書き換え回数がついにＤＲＡＭと同等に
日経エレクトロニクス　第794号　2001.4.23

この記事の情報
掲載誌	日経エレクトロニクス　第794号（2001.4.23）
ページ数	2ページ　（全3561字）
形式	PDFファイル形式　（59kb）
雑誌掲載位置	39〜40ページ目

強誘電体メモリの普及を妨げていた大きな問題が解決する。従来は１０１０〜１０１２回が上限だった書き換え可能な回数を，ＳＲＡＭやＤＲＡＭと同程度の１０１５〜１０１６回までに高める技術が確立してきたからだ。　「強誘電体メモリ（ＦｅＲＡＭ）の書き換え回数の上限は１０１２回です。でも不揮発というすごいメリットがあります」。国内メモリ・メーカのある技術者がＦｅＲＡＭを売り込みにいったところ，黙って話を聞いてい…