NETs連載講座〜次世代通信用デバイス技術として InPを検討する(2)
日経エレクトロニクス 第792号 2001.3.26
掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第792号(2001.3.26) |
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ページ数 | 9ページ (全8011字) |
形式 | PDFファイル形式 (101kb) |
雑誌掲載位置 | 204〜212ページ目 |
InP技術を使ったHBTを紹介する第2回目。ここではInP−HBTの製造技術や,試作したデバイスを紹介する。InP−HBTは,すでに実用化しているGaAsの製造技術を応用して,デバイスを製造する。InP−HBTの特徴を生かし,高周波領域を想定したデバイスが数多く試作されている。30GHz動作するパワー・アンプ,伝送速度40Gビット/秒の光通信用受信機,トランスミッタなどが注目を集める。そのほか,A…
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