ＮＥＴｓ連載講座〜次世代通信用デバイス技術として　ＩｎＰを検証する（１）
日経エレクトロニクス　第791号　2001.3.12

この記事の情報
掲載誌	日経エレクトロニクス　第791号（2001.3.12）
ページ数	10ページ　（全7341字）
形式	PDFファイル形式　（84kb）
雑誌掲載位置	228〜237ページ目

爆発的な増加を続けるインターネットのトラヒック。それを支えるデバイスは多彩だ。ＣＭＯＳはもちろん，ＳｉＧｅ−ＨＢＴ，ＧａＡｓ−ＨＢＴ，ＩｎＰ−ＨＢＴなど，各種の技術が使われている。１０ＧＨｚ〜１００ＧＨｚといった高い周波数帯向けのデバイス技術として，ＩｎＰを評価してみる。従来は，低い集積度が問題になっていたが，最近では，１０００〜１万個のトランジスタを１チップに集積可能になってきた。次世代の通信用…