技術速報〜独Ｉｎｆｉｎｅｏｎ社，ＭＲＡＭと強誘電体メモリの製品化計画を明らかに ＭＲＡＭは選択ＭＯＳＦＥＴを用いない１ＴＭＲ素子だけのセル構成を採用
日経エレクトロニクス 第787号 2001.1.15
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第787号（2001.1.15） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1034字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （29kb） |
| 雑誌掲載位置 | 26ページ目 |
独Ｉｎｆｉｎｅｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ａ．Ｇ．は，新しい不揮発性メモリであるＭＲＡＭ（ｍａｇｎｅｔｉｃ ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ）と強誘電体メモリについて製品化計画の概要を明らかにした。同社はＭＲＡＭに関して米ＩＢＭ Ｃｏｒｐ．と，強誘電体メモリに関しては東芝との共同開発を２０００年１２月に相次いで発表しており，次世代メモリの開発に積極的な姿勢をみせている。 Ｉｎｆｉｎｅ…
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