新製品ニュース〜耐熱温度が＋２００℃と高い 自動車向けパワーＭＯＳ ＦＥＴ
日経エレクトロニクス 第787号 2001.1.15
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第787号（2001.1.15） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全585字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （284kb） |
| 雑誌掲載位置 | 66ページ目 |
米Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｒｅｃｔｉｆｉｅｒ Ｃｏ．は，耐熱温度が＋２００℃と高い自動車向けパワーＭＯＳ ＦＥＴ「ＩＲＦ１７０４」を開発，サンプル出荷を開始した。電動パワー・ステアリングや電動ブレーキ，電動バルブ，ウインドウ・コントロール，ワイパ用モータ，ウォータ・ポンプなどの制御回路に向ける。 自動車のボンネット内では温度が最高＋１３５℃程度まで達する場合があるため，搭載する電子部品に求め…
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