解説 プロセス〜「次は巻き返す」,ポストSiO2の 新材料導入に沸く半導体メーカ
日経エレクトロニクス 第787号 2001.1.15
掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第787号(2001.1.15) |
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ページ数 | 6ページ (全8123字) |
形式 | PDFファイル形式 (234kb) |
雑誌掲載位置 | 57〜62ページ目 |
「新材料を制するものが市場を制する」。米IBM Corp.の成功が証明した。次々に新材料を採用し,競合他社を出し抜き続けた。「Cu配線,low−k,SOIではIBM社に負けたが,次は巻き返す」。半導体製造技術関連の国際会議「2000 IEDM」は,意欲あふれる半導体メーカによる新材料の発表ラッシュだった。 高速動作のためのCu配線,低誘電率層間絶縁膜(いわゆるlow−k材料),高速化と低消費電力化…
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