ニュース・レポート〜「ポストＤＲＡＭ」に新候補 キャパシタを相変化膜で代替
日経エレクトロニクス 第787号 2001.1.15
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第787号（2001.1.15） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1493字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （20kb） |
| 雑誌掲載位置 | 29ページ目 |
ＤＲＡＭなどの代替を目指す次世代の不揮発性メモリ技術として，新たな方式が浮上した。ＤＲＡＭで使われるキャパシタの代わりに，書き換え可能な光ディスクで利用されている「相変化膜」を記憶素子に用いる。 記憶素子に相変化膜を利用するメモリＬＳＩの開発に，伊仏合弁のＳＴＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｎ．Ｖ．が乗り出す。ねらいはＤＲＡＭやフラッシュＥＥＰＲＯＭの代替である。米ＩＢＭ Ｃｏｒｐ．と独Ｉｎｆｉ…
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