新製品ニュース〜携帯電話機向け１６ＭビットＳＲＡＭ ０．１８ｎｍルールにより大容量／低消費電力を実現
日経エレクトロニクス 第786号 2001.1.1
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第786号（2001.1.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全555字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （197kb） |
| 雑誌掲載位置 | 52ページ目 |
東芝は，携帯電話機に向けた１６ＭビットＳＲＡＭ「ＴＣ５５Ｗ１６００ＦＴ」を発売した。０．１８ｎｍルールのＣＭＯＳ技術を採用し，さらに回路構成を最適化することで，チップ面積の増大を抑えた。待機時の消費電流が５ｎＡと低いことも特徴である。８Ｍビット品以降の携帯電話機向けメモリとして，ＳＲＡＭの代わりにＤＲＡＭを使うメーカが増えている。ＳＲＡＭよりもチップ面積を小さくでき，動作時の消費電流はあまり変わ…
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