新製品ニュース〜低オン抵抗と低ゲート・チャージを両立させて 電力損失を抑えたｎチャネル型パワーＭＯＳＦＥＴ
日経エレクトロニクス 第785号 2000.12.18
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第785号（2000.12.18） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全684字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （117kb） |
| 雑誌掲載位置 | 75ページ目 |
米Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｒｅｃｔｉｆｉｅｒ Ｃｏｒｐ．は低オン抵抗と低ゲート・チャージを両立させて，スイッチング時や伝導時の電力損失などを抑えたｎチャネル型パワーＭＯＳＦＥＴ「ＩＲＦ７８２２」を発売した。オン抵抗は標準５．０ｍΩで，ゲート・チャージは４４ｎＣと低い。ゲート−ソース間（しきい値到達後）とゲート−ドレイン間のチャージを合わせたスイッチング・チャージは１１．５ｎＣ。出力チャージは…
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