講座 メモリ〜ＳＲＡＭ並みの高速性を 実現したＤＲＡＭ技術
日経エレクトロニクス 第783号 2000.11.20
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第783号（2000.11.20） |
|---|---|
| ページ数 | 8ページ （全8205字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （104kb） |
| 雑誌掲載位置 | 171〜178ページ目 |
米ＭｏＳｙｓ，Ｉｎｃ．は，ＤＲＡＭと同じメモリ・セル構造を採りながらＳＲＡＭ並みのアクセス性能を実現したメモリ「１Ｔ−ＳＲＡＭ」を開発した。ネットワーク機器や民生機器などに搭載するシステムＬＳＩへの埋め込みを想定する。０．１８ｎｍルールのプロセス技術で作るＬＳＩに埋め込んだ際のランダム・アクセス時間は５ｎｓ未満と短い。（本誌） 特定用途向けの回路を集積した大規模ＬＳＩ，いわゆるシステムＬＳＩでは内…
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