新製品ニュース〜大容量フラッシュＥＥＰＲＯＭ ＮＡＮＤ型として初めて５１２Ｍ／１Ｇビットの容量達成
日経エレクトロニクス 第783号 2000.11.20
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第783号（2000.11.20） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全708字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （158kb） |
| 雑誌掲載位置 | 66ページ目 |
東芝は，５１２ＭビットＮＡＮＤ型フラッシュＥＥＰＲＯＭのサンプル出荷を開始した。ＮＡＮＤ型として初めて５１２Ｍビットの容量を達成した。これまでの最大容量は２５６Ｍビットだった。画像や音楽といったマルチメディア・データの格納に向ける。０．１６ｎｍプロセスで製造する。米ＳａｎＤｉｓｋ Ｃｏｒｐ．と共同開発した。一つのセルに複数ビットの情報を格納する多値技術は使っていない。 ４８ピンＴＳＯＰ品の「ＴＣ…
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