新製品ニュース〜 ７層Ｃｕ配線プロセスを採用した ０．１３ｎｍのＣＭＯＳ ＡＳＩＣ
日経エレクトロニクス 第782号 2000.11.6
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第782号（2000.11.6） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全663字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （193kb） |
| 雑誌掲載位置 | 70ページ目 |
東芝は，７層Ｃｕ配線プロセスを採用した０．１３ｎｍのＣＭＯＳ ＡＳＩＣ「ＴＣ２８０ファミリー」の受注を２００１年第１四半期に開始する。トランジスタのゲート長は０．１１ｎｍ。サンプル出荷は２００１年第２四半期の予定。ネットワーク用インフラ機器のほか，携帯機器まで幅広い用途に向けた。同社従来品の「ＴＣ２６０ファミリー」と比較して，搭載可能な論理ゲート密度が１．７倍に増え，ゲートの遅延時間が約３０％短…
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