新製品ニュース〜記録容量を５１２Ｍビットに高めた ＡＮＤ型フラッシュＥＥＰＲＯＭ
日経エレクトロニクス 第782号 2000.11.6
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第782号（2000.11.6） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全653字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （193kb） |
| 雑誌掲載位置 | 68ページ目 |
日立製作所は，記録容量が５１２Ｍビットと大容量のＡＮＤ型フラッシュＥＥＰＲＯＭ「ＨＮ２９Ｖ５１２１１Ｔ」を発売する。同社はすでに０．２５ｎｍルールのＣＭＯＳ技術で製造し，一つのメモリ・セルに２ビット（４値）の情報を格納する多値技術を組み合わせた２５６Ｍビット品を発売している。今回は，設計ルールを０．１８ｎｍに微細化し，さらに周辺回路などを縮小することで，記録容量を２倍に高めながら２５６Ｍビット品…
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