新製品ニュース〜 ０．１８ｎｍプロセスで製造する多値の ＮＯＲ型フラッシュＥＥＰＲＯＭ
日経エレクトロニクス 第781号 2000.10.23
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第781号（2000.10.23） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全843字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （177kb） |
| 雑誌掲載位置 | 85ページ目 |
伊仏ＳＴＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社は，０．１８ｎｍプロセスで製造する，多値のＮＯＲ型６４Ｍビット・フラッシュＥＥＰＲＯＭ「Ｍ５８ＬＷ０６４」を発表した（図１，表１）。２００１年第１四半期から量産を開始する。一つのメモリ・セルに２ビットのデータを格納する，いわゆる２ビット／セルの多値技術を採用した。携帯型情報通信機器のほか，セットトップ・ボックス，ディジタル・スチル・カメラ，ネットワーク機…
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