ニュース・レポート〜高出力青紫色レーザ 複数社が研究開発にメド
日経エレクトロニクス 第779号 2000.9.25
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第779号（2000.9.25） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2602字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （38kb） |
| 雑誌掲載位置 | 39〜40ページ目 |
高出力ＧａＮ系レーザの発表が相次いでいる。日亜化学工業は光出力３０ｍＷで寿命１万５０００時間を達成，シャープは同７５ｍＷで室温連続発振を確認した。ソニーは低欠陥ＧａＮ系基板の作製法を開発したという。 光ディスク装置に向けた高出力青紫色レーザの開発が，いよいよ量産を考慮した技術開発の段階に移行しつつある。現在唯一ＧａＮ系半導体レーザを出荷している日亜化学工業は，光出力５ｍＷの品種に加えて，２０００年…
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