新製品ニュース〜温度センサとしてダイオードを内蔵した 車載システム用MOSFET
日経エレクトロニクス 第777号 2000.8.28
掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第777号(2000.8.28) |
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ページ数 | 1ページ (全546字) |
形式 | PDFファイル形式 (240kb) |
雑誌掲載位置 | 64ページ目 |
米International Rectifier Co.は,温度センサとしてダイオードを内蔵した車載システム向けnチャネル型パワーMOSFET「IRLBD59N04E」を発売した。動作可能な接合部の最高温度である+175℃に達する時点で,バイアス電流250nAで電圧が0.4Vまで低下し,回路の電流過負荷や過熱を防ぐ。車載用オーディオ機器やパワー・ステアリング,ABS(Anti−Lock Brak…
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