論文 インターフェース〜多値技術の導入で転送速度を Ｒａｍｂｕｓメモリの２倍に
日経エレクトロニクス 第775号 2000.7.31
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第775号（2000.7.31） |
|---|---|
| ページ数 | 12ページ （全15774字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （304kb） |
| 雑誌掲載位置 | 147〜158ページ目 |
米Ｒａｍｂｕｓ Ｉｎｃ．は，メモリ・バスなどに向けた多値伝送技術を開発した。バスの周波数を現行のＤｉｒｅｃｔ Ｒａｍｂｕｓ仕様ＤＲＡＭ（Ｄｉｒｅｃｔ ＲＤＲＡＭ）と同じ４００ＭＨｚに据え置いても，１ピン当たり１．６Ｇビット／秒のデータ伝送が可能になる。Ｄｉｒｅｃｔ ＲＤＲＡＭの２倍に当たる。現行の仕様を拡張し，信号振幅に４値の情報をもたせた。（本誌） Ｄｉｒｅｃｔ Ｒａｍｂｕｓ仕様の後継に当たる第…
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