技術速報〜米Ｌｕｃｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社，室温で形成可能なｎ型有機半導体を開発 印刷法使い，プラスチック表面にトランジスタが形成可能に
日経エレクトロニクス 第768号 2000.4.24
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第768号（2000.4.24） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全484字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （54kb） |
| 雑誌掲載位置 | 27ページ目 |
米Ｌｕｃｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ，Ｉｎｃ．のＢｅｌｌ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓは，室温で溶媒に溶け，溶媒が蒸発した後は安定状態を保つｎ型有機半導体材料を開発，これを使ってＴＦＴ（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を試作した。半導体薄膜をプラスチックなどの表面に印刷技術を応用して形成できる。ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ ｄｉｉｍｉｄｅ系の材料を使う。同様なｐ…
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