新製品ニュース〜オン抵抗が５．５ｍΩと低い 耐圧３０Ｖのｐチャネル型パワーＭＯＳ ＦＥＴ
日経エレクトロニクス 第765号 2000.3.13
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第765号（2000.3.13） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全523字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （179kb） |
| 雑誌掲載位置 | 67ページ目 |
日立製作所はオン抵抗が５．５ｍΩと低い耐圧３０Ｖのｐチャネル型パワーＭＯＳ ＦＥＴ「ＨＡＴ１０４８Ｒ」を発売する。オン抵抗の最大値は７ｍΩ。いずれもゲート−ソース間電圧が−１０Ｖにおける値である。 素子を複数のトランジスタで構成し，これを並列接続する手法などを採用することでオン抵抗を下げた。具体的には，トランジスタのセル面積を従来比４０％まで縮小して集積するトランジスタ数を増やした。この結果，オ…
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