ＮＥＴｓレポート〜ランダム・アクセス時間が ＳＲＡＭに迫るＤＲＡＭマクロ セル単位でインタリーブ動作を可能に
日経エレクトロニクス 第764号 2000.2.28
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第764号（2000.2.28） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2644字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （26kb） |
| 雑誌掲載位置 | 198〜199ページ目 |
ランダム・アクセス時間がＳＲＡＭに匹敵するほど短いＤＲＡＭマクロの回路技術を，松下電器産業が半導体の国際会議「ＩＳＳＣＣ（ＩＥＥＥ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｏｌｉｄ−Ｓｔａｔｅ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ）」で明らかにした（Ａｇａｔａほか，講演番号ＷＰ２４．１）。＋２．３Ｖで動作させた場合のランダム・アクセス時間は最長でも８ｎｓ，典型的な条件では６．５ｎｓである。３次元グラフィッ…
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