ニュース・ダイジェスト〜Ｅｒｉｃｓｓｏｎ社，Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ向けＬＳＩで提携
日経エレクトロニクス 第760号 2000.1.3
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第760号（2000.1.3） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全206字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （42kb） |
| 雑誌掲載位置 | 40ページ目 |
スウェーデンＥｒｉｃｓｓｏｎ社と米Ｃｈａｒｔｅｒｅｄ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ社は，Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ向けＬＳＩの開発で提携した。両者は共同で， ＲＦトランシーバＬＳＩを開発／製造する。製造技術には，高周波（ＲＦ）ＣＭＯＳ技術とバイポーラ−ＣＭＯＳ技術の２種類を使う。ＲＦ ＣＭＯＳによる量産出荷は２００１年第１四半期，バイポーラ−ＣＭＯＳによる量産は２００１年第３四半期になる予定。（１２／８ …
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