技術速報〜米HP社が磁気抵抗効果を利用した不揮発性メモリを開発中, 数Mビット規模のチップを試作し動作を確認
日経エレクトロニクス 第757号 1999.11.15
掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第757号(1999.11.15) |
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ページ数 | 1ページ (全590字) |
形式 | PDFファイル形式 (48kb) |
雑誌掲載位置 | 19ページ目 |
米Hewlett−Packard Co.(HP社)は,磁気抵抗効果を示すトンネル接合(TMR:tunneling magnetoregistive)膜を用いた不揮発性メモリ「MRAM(magnetic random access memory)」を試作した。(1)SRAM並みの速度で書き換え可能,(2)DRAMと同程度のセル面積にできるといった利点をもつMRAMは,ここにきて次世代メモリの最右翼…
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