新製品ニュース〜 ２０Ｖ耐圧でオン抵抗が１３ｍΩと小さい パワーＭＯＳ ＦＥＴ
日経エレクトロニクス 第757号 1999.11.15
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第757号（1999.11.15） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全513字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （206kb） |
| 雑誌掲載位置 | 61ページ目 |
東芝は，２０Ｖ耐圧でオン抵抗が標準１３ｍΩ（４Ｖ駆動時）と小さいパワーＭＯＳ ＦＥＴ「ＴＰＣＳ８２０４」のサンプル出荷を開始した。最大値は１７ｍΩ。ノート・パソコンやディジタル・スチル・カメラ，携帯電話機のパワー・マネジメント用スイッチ素子や，Ｌｉイオン２次電池の過電流保護用スイッチ素子として使える。 オン抵抗は，同社従来品「ＴＰＣＳ８２０３」に比べて約３／４と小さい。小さくできた理由は，トレン…
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