技術速報〜ＩＥＤＭ９９，設計ルール０．１ｎｍ以降を見据えた技術に注目， 次世代のＧビットＤＲＡＭに向けたメモリ・セル・アレイが登場
日経エレクトロニクス 第753号 1999.10.4
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第753号（1999.10.4） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全645字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （54kb） |
| 雑誌掲載位置 | 22ページ目 |
半導体デバイス・プロセス技術の国際会議，Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｍｅｅｔｉｎｇ（ＩＥＤＭ）が１９９９年１２月５日〜８日に米国ワシントンＤ．Ｃ．で開催される。設計ルール０．１ｎｍやそれ以降のＣＭＯＳ技術に向けた発表に注目が集まりそうだ。たとえば，米Ｉｎｔｅｌ Ｃｏｒｐ．はゲート長が０．１ｎｍのトランジスタを作製，これを使った１６ＭビットＳＲＡＭを発表する。動作…
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ＮＥＴｓ〜ＮＥＴＳ１９９９１０−４
