新製品ニュース〜電源電圧が＋３Ｖ単一で ６４ＭビットのフラッシュＥＥＰＲＯＭ
日経エレクトロニクス 第744号 1999.5.31
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第744号（1999.5.31） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全566字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （213kb） |
| 雑誌掲載位置 | 60ページ目 |
富士通は，電源電圧が＋３Ｖ単一の６４Ｍビット・フラッシュＥＥＰＲＯＭ「ＭＢＭ２９ＬＶ６５０ＵＥ─９０」を発売した。米Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍｉｃｒｏ Ｄｅｖｉｃｅｓ，Ｉｎｃ．との共同開発品である。富士通はこれまでに電源電圧が＋３Ｖ単一で，メモリ容量が１Ｍ／２Ｍ／４Ｍ／８Ｍ／１６Ｍ／３２ＭビットのフラッシュＥＥＰＲＯＭを製品化している。今回，最小加工線幅０．２３ｎｍのＣＭＯＳ製造技術を使うことで６４Ｍ…
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