新製品ニュース〜ゲートへの電荷注入量を３０％低減した ｎチャネル型パワーＭＯＳ ＦＥＴ
日経エレクトロニクス 第741号 1999.4.19
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第741号（1999.4.19） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全525字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （150kb） |
| 雑誌掲載位置 | 60ページ目 |
米Ｓｉｌｉｃｏｎｉｘ Ｉｎｃ．はゲートへの電荷注入量（ゲート・チャージ）を７０ｎＣまで低減したｎチャネル型パワーＭＯＳ ＦＥＴ「ＳＵＢ７０Ｎ０３─０９Ｐ」を発売した。同社既存品は１００ｎＣだった。ゲート・チャージの標準値は４５ｎＣである。ＰＷＭ制御のＤＣ─ＤＣコンバータなど高速なスイッチングが必要な回路に向ける。 チャネル温度−５５℃〜＋１７５℃の範囲で動作を保証する。チャネル温度＋１７５℃，ゲ…
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