技術速報〜ＮＥＣ，ＬＳＩの形成不良などを短時間で検査する手法を開発， 電子ビーム照射時の基板電流の変化で判定
日経エレクトロニクス 第740号 1999.4.5
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第740号（1999.4.5） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全539字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （35kb） |
| 雑誌掲載位置 | 21ページ目 |
ＮＥＣは，ＬＳＩのコンタクト・ホールやビア・ホールの形成不良などを高速に検査する手法を開発した。開発した手法は以下の通り。たとえば，エッチング不良からコンタクト・ホールの底面にＳｉＯ２が残留している場合を想定する。まず，電子ビーム（ＥＢ）をホール内に照射する。照射された１次電子はＳｉＯ２に衝突し，ＳｉＯ２からは２次電子が放出される。このとき，１次電子と２次電子の差分に相当する電流がＳｉ基板に流れ…
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