新製品ニュース〜＋２．７Ｖ動作時のアクセス時間が５５ｎｓのＳＲＡＭ， 待機時の消費電流は０．３ｎＡと低い
日経エレクトロニクス 第738号 1999.3.8
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第738号（1999.3.8） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全563字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （124kb） |
| 雑誌掲載位置 | 52ページ目 |
三菱電機は，電源電圧＋２．７Ｖ時のアクセス時間が最短で５５ｎｓのＳＲＡＭ「Ｍ５Ｍ５Ｖ２１６Ａ」を発売した。待機時の消費電流が０．３ｎＡと低いことも特徴。ただし，消費電流は電源電圧＋３Ｖにおける値である。０．２５ｎｍのＣＭＯＳ技術とＴＦＴ（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）型のメモリ・セルを採用して実現したという。低消費電力化が進む携帯電話機や携帯型情報端末などに向けた。 容量は２Ｍビット…
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