新製品ニュース〜耐圧３０Ｖ，８ピンＳＯＰ封止で最大オン抵抗４ｍΩの ｎチャネル型パワーＭＯＳ ＦＥＴ
日経エレクトロニクス 第736号 1999.2.8
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第736号（1999.2.8） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全534字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （124kb） |
| 雑誌掲載位置 | 60ページ目 |
米Ｓｉｌｉｃｏｎｉｘ Ｉｎｃ．は最大オン抵抗が４ｍΩと小さいｎチャネル型パワーＭＯＳ ＦＥＴ「Ｓｉ４４３０ＤＹ」を発売した。オン抵抗の標準値は３．６ｍΩ。いずれもゲート−ソース間電圧＋１０Ｖ，ドレイン電流２２Ａにおける値である。ゲート−ソース間電圧＋４．５Ｖ，ドレイン電流２０Ａにおけるオン抵抗は標準６．８ｍΩ，最大８ｍΩである。ソース−ドレイン間の耐圧は３０Ｖ。主にＰｅｎｔｉｕｍＩＩプロセサなど…
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