次世代システムを支えるハードウエア技術〜ＤＲＡＭの次は不揮発タイプ メモリー／ストレージ階層が変わる
日経コンピュータ 第866号 2014.8.7
| 掲載誌 | 日経コンピュータ 第866号（2014.8.7） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2550字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （466kb） |
| 雑誌掲載位置 | 96〜97ページ目 |
第 ３ 回ＤＲＡＭの大容量化が限界に近づきつつある。半導体の微細化技術の限界が迫っているためだ。そのため、メモリーベンダーはＤＲＡＭに代わる高速メモリー技術の開発を進めている。新メモリーは、電源を切ってもデータを保持できる不揮発性メモリーとなる。ＤＲＡＭが置き換わることで、従来のメモリーとストレージの階層が変わる可能性も出てきた。 メインメモリーに対する広帯域化の要求に応えるために、ＤＲＡＭではシ…
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