クローズアップ〜“第3のメモリー”の衝撃 ストレージとDBが一変する
日経コンピュータ 第824号 2012.12.20
掲載誌 | 日経コンピュータ 第824号(2012.12.20) |
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ページ数 | 8ページ (全6599字) |
形式 | PDFファイル形式 (852kb) |
雑誌掲載位置 | 70〜77ページ目 |
2012年、DRAMでもフラッシュメモリーでもない“第3のメモリー”の量産出荷が始まった。DRAM並みに高速でありながら、フラッシュ同様に電源をオフにしてもデータが消えない「新世代不揮発性メモリー」だ。新メモリーによってコンピュータのアーキテクチャーは激変し、入出力(I/O)の大幅な高速化が実現すると共に、消費電力は激減する。 コンピュータには、高速だが電源をオフにするとデータが消える「主記憶装置…
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