Ｆｅａｔｕｒｅ ＰＡＲＴ６ パワー半導体（ＧａＮ・ＳｉＣ）〜ＧａＮ系パワー半導体 いざ次世代の本命へ
日経エコロジー 第149号 2011.11.1
| 掲載誌 | 日経エコロジー 第149号（2011.11.1） |
|---|---|
| ページ数 | 6ページ （全6952字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （1010kb） |
| 雑誌掲載位置 | 84〜89ページ目 |
電力損失を大幅に削減できる次世代のパワー半導体として、炭化ケイ素（ＳｉＣ）だけでなく、窒化ガリウム（ＧａＮ）への注目度が高まってきた。このＧａＮを用いたパワー素子を利用する環境が今、急速に整い始めている。複数の企業が２０１１年後半から２０１２年にかけて、ＧａＮ系パワー素子を出荷する。（根津 禎＝日経エレクトロニクス） 機器の省エネ化を進めるには何が必要か。機器には、テレビやパソコン、白物家電といっ…
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