GaNパワーデバイス 〈レポート基準年：2025年〉
富士経済グループ「マーケットシェアデータ」
データ更新日：2026年06月25日
| 出典 | 富士経済グループ「マーケットシェアデータ」 |
|---|---|
| 市場分類 | GaNパワーデバイス 〈レポート基準年：2025年〉 |
| 情報提供元 | 株式会社富士経済ネットワークス |
| PDFページ数 | 1頁（301kb） |
サンプルを見る
【レポート概要（レポートから抜粋）】
本項は、GaN(窒化ガリウム)ウェーハを使用したパワーデバイスを対象とする。高速スイッチングが可能であるため、電源回路の小型化に貢献する。現状はSi基板の上にGaN結晶を成長させた基板(GaN on Si)を用いており、表面上に素子を形成するHEMT技術が用いられている。本項では、パワーデバイスと･･･
１．市場規模（前年比）
２．市場予測
３．市場動向（販売実績・前年比）
４．マーケットシェア（会社名、販売実績、シェア）
５．市場概要
６．マーケットシェア状況
７．市場展望
８．市場指標／評価
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 2200円（税込）
