SiC-FET 〈レポート基準年:2025年〉
富士経済グループ「マーケットシェアデータ」
データ更新日:2026年06月25日
| 出典 | 富士経済グループ「マーケットシェアデータ」 |
|---|---|
| 市場分類 | SiC-FET 〈レポート基準年:2025年〉 |
| 情報提供元 | 株式会社富士経済ネットワークス |
| PDFページ数 | 1頁(298kb) |
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【レポート概要(レポートから抜粋)】
本項では、SiCウェーハを使用したパワーMOSFETのディスクリート品を対象とする。シリコン製のパワーMOSFETと比較すると、耐圧が高く、低オン抵抗化、高速スイッチングが可能である。IGBTと比較すると、テール電流が発生せず、低損失なスイッチングが可能である。なお、SiC-FETの素子(ベアダイ・・・
1.市場規模(前年比)
2.市場予測
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6.マーケットシェア状況
7.市場展望
8.市場指標/評価
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