Ｓｐｅｃｉａｌ　Ｆｅａｔｕｒｅ〜インクジェットでＳｉ−ＴＦＴを形成　エプソンの製造コスト革命
日経マイクロデバイス　第253号　2006.7.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第253号（2006.7.1）
ページ数	7ページ　（全8403字）
形式	PDFファイル形式　（569kb）
雑誌掲載位置	55〜61ページ目

電子デバイスを，真空成膜やリソグラフィといった高コストのプロセスを使わず低コストに作製する。そうした手法を開発してきたセイコーエプソンが，Ｓｉによる薄膜トランジスタ（Ｓｉ−ＴＦＴ）をインクジェットで形成し，その動作を実証することに世界で初めて成功した。インクジェットの応用は，有機デバイス向けで先行してきたが，Ｓｉデバイスへの適用例は初めてである。同社が，今回の成果の詳細を解説する。（本誌）下田　達…