Ｋｅｙ Ｐｅｒｓｏｎ キー・パーソン〜フラッシュの３０ｎｍの壁を越える
日経マイクロデバイス 第250号 2006.4.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第250号（2006.4.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2900字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （129kb） |
| 雑誌掲載位置 | 18〜19ページ目 |
ＮＡＮＤ型フラッシュ・メモリーは，５０ｎｍ世代の量産を間近に控え，「微細化限界」が指摘されてきた４０〜３０ｎｍ世代の量産時期がいよいよ３〜４年以内に迫ってきた。フラッシュ各社はどのような技術でこの壁を破るのか。東芝と激しい開発競争を繰り広げている韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．の半導体研究部門の責任者に聞いた。韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔ…
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