Ｒｅｐｏｒｔ［ＬＳＩ］〜損傷抑える中性粒子ビーム加工　３２ｎｍ以降のデバイス特性を改善
日経マイクロデバイス　第248号　2006.2.1

　ＬＳＩ製造時のデバイス損傷を抑制できる微細加工技術を開発した（図１）。通常，ＬＳＩ製造ではプラズマ中の荷電粒子をＳｉ基板に当てて微細加工をする。しかし，プラズマから出る荷電粒子注１）や放射光注２）はデバイスに損傷を与え，リーク電流などを増やす要因にもなる１）〜１０）。特にナノオーダーの微細デバイスでは，わずかな損傷がデバイス特性を大きく左右する。われわれは今回，デバイスに入射する荷電粒子を中性粒…