Ｉｎｓｉｄｅ ＬＳＩ〜材料や原理の見直し進む新型メモリー 見えたＰＲＡＭの実用化
日経マイクロデバイス 第248号 2006.2.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第248号（2006.2.1） |
|---|---|
| ページ数 | 6ページ （全8467字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （426kb） |
| 雑誌掲載位置 | 61〜66ページ目 |
ＰＲＡＭ（ｐｈａｓｅ ｃｈａｎｇｅ ＲＡＭ）やＭＲＡＭ（ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ＲＡＭ），ＲｅＲＡＭ（ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ＲＡＭ）といった新型不揮発性メモリーの開発が，新たな局面を迎えている。新しい材料や動作原理の導入によって，実用化への壁を打ち破る可能性が出てきた。ＰＲＡＭの実用化が１〜２年以内に始まることが見え てきたほか，それを追うＭＲＡＭやＲｅＲＡＭも実用化に向けた開発が加速しそ…
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