Ｅｍｅｒｇｉｎｇ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ〜ＩＢＭのリソによらない超微細化技術　メモリーへの応用手法として提案
日経マイクロデバイス　第247号　2006.1.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第247号（2006.1.1）
ページ数	1ページ　（全970字）
形式	PDFファイル形式　（132kb）
雑誌掲載位置	3ページ目

　Ｔビット級のメモリー・セルをナノ・インプリントや自己組織化といった“非リソグラフィ技術”で作製する。そして，周辺回路は通常のリソグラフィ技術で作る。リソグラフィの限界の影響を受けない非リソ技術と，複雑なパターンの回路を形成できるリソ技術。米ＩＢＭ　Ｃｏｒｐ．は，これら双方の利点を組み合わせて超高集積メモリーを実現する技術を開発した（図１）。　Ｔビット級のメモリーに必要な直径数ｎｍの記憶素子の書き…