μレポート［ＬＳＩ製造］〜ＦｅＲＡＭ材料競争が激化 ＰＺＴ，ＳＢＴ，ＢＬＴの陣営が １３０ｎｍ以降の混載で火花
日経マイクロデバイス 第215号 2003.5.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第215号（2003.5.1） |
|---|---|
| ページ数 | 4ページ （全6115字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （169kb） |
| 雑誌掲載位置 | 29〜32ページ目 |
ＦｅＲＡＭメモリー学会強誘電体メモリー（ＦｅＲＡＭ）の研究・開発において，キャパシタ材料での競争が激しくなってきた。量産化で先行するのはＰＺＴ材料だが，１３０ｎｍ以降の混載品ではＳＢＴ材料が有利との見方が出ている。ここに来て，ＰＺＴとＳＢＴの長所を持ち合わせたＢＬＴ材料も登場した。これらの材料には一長一短があるため，各メーカーは短所を改善する開発に注力し始めた。こうした研究動向について，東京工業大…
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