技術レター［ＬＳＩ製造＆ＬＳＩ設計］〜ＩＴＲＳの慣例だった 「微細化前倒し」に終止符 例外はフラッシュ・メモリー
日経マイクロデバイス 第211号 2003.1.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第211号（2003.1.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全597字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （64kb） |
| 雑誌掲載位置 | 32ページ目 |
微細化フラッシュ・メモリー ＩＴＲＳ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｒｏａｄｍａｐ ｆｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ）が「ＩＴＲＳ ２００２ Ｕｐｄａｔｅ」を発表した。今回の特徴は，ＬＳＩの微細化のペースが鈍ってきたことを示唆している点である。ただし，フラッシュ・メモリーは例外で２００１年版に比べて前倒しとなっている。 ＬＳＩの微細化は，１９９５年の０．３５μｍから２００１…
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