技術レター［ＬＳＩ製造］〜ＦＥＴは新チャネル構造 配線は台湾ＴＳＭＣが 目立った「ＩＥＤＭ」
日経マイクロデバイス 第211号 2003.1.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第211号（2003.1.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全2158字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （82kb） |
| 雑誌掲載位置 | 30ページ目 |
ＦＥＴロジック・プロセス配線技術 １２月９日〜１１日に米国サンフランシスコで開かれた「２００２ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｍｅｅｔｉｎｇ（ＩＥＤＭ）」では，ＭＯＳ ＦＥＴ関連で歪みＳｉや薄膜ＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）の移動度に関する発表と，フィンＦＥＴやＧｅ ＭＯＳ ＦＥＴなど新チャネル構造の提案が相次いだ。ロジック関連では，東芝とソニー…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 330円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「1ページ（全2158字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
産業ウオッチャ［Ｐｏｗｅｒｅｄ ｂｙ ＮＥ Ａｓｉａ］〜ＩＤＴ，中国の通信機器各社を ターゲットに シェア拡大を目指す
産業ウォッチャ［台湾・中国・中根レポート］〜日本と台湾で ＴＦＴ業界の再編始まる まず日立とＨａｎｎＳｔａｒが提携
技術レター［ＬＳＩ製造］〜９０ｎｍ対応装置や 歩留まり改善策が相次いだ 「セミコン・ジャパン」
技術レター［ＬＳＩ製造＆ＬＳＩ設計］〜ＩＴＲＳの慣例だった 「微細化前倒し」に終止符 例外はフラッシュ・メモリー
技術レター［ＬＳＩ製造＆ＬＳＩ設計］〜沖電気と米Ｐｅｒｅｇｒｉｎｅ ＳＯＳ技術で提携 ＲＦ市場で３００億円狙う
