μレポート［ＬＳＩ製造］〜０．１μｍの露光技術で　最大課題の　マスク量産技術にメド
日経マイクロデバイス　第197号　2001.11.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第197号（2001.11.1）
ページ数	2ページ　（全2181字）
形式	PDFファイル形式　（68kb）
雑誌掲載位置	147〜148ページ目

露光技術マスクＬＳＩプロセス０．１μｍルールにおける露光技術の最大の課題だったマスク量産技術にメドが立った。マスクの欠陥を検査・修正するのに必要な装置が出てきたためである。「マスクが高すぎてビジネスにならない」とするシステムＬＳＩ関係者の不満を解消する。第１弾として，２００１年９月にＤＵＶレーザーを使ったマスク欠陥検査装置を，ＮＥＣネットワークスが製品化した。　最先端ＬＳＩ，特に少量多品種になるシ…