産業ウオッチャ〜ＧａＡｓの製造歩留まりを 上げる新プロセスを開発 中間層に新材料を導入
日経マイクロデバイス 第196号 2001.10.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第196号（2001.10.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全245字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （24kb） |
| 雑誌掲載位置 | 29ページ目 |
米国ＧａＡｓ製造プロセス 米Ｍｏｔｏｒｏｌａ Ｉｎｃ．は，ＧａＡｓの製造歩留まりを上げるプロセスを開発したと発表した。同社は技術の詳細について明らかにしていないが，ベースになるＳｉ層とＧａＡｓ層との間の中間層に新たな材料，製法を導入したという。これまでＳｉ層とＧａＡｓ層の界面で割れが生じやすいという問題があったが中間層がそれを解決した。このプロセスを使ったデバイスを２年以内に製品化する予定である。…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 330円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「1ページ（全245字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
産業ウオッチャ〜ＴＦＴ液晶市場で日本の 存在感が低下，シェアで 韓国に首位を明け渡す
産業ウオッチャ〜半導体製造装置の ＢＢ比上昇は見かけ上 プリント基板も同様か
技術レター［ＬＳＩ製造］〜超微量元素の検出技術や ＧａＮ系の希薄磁性半導体が 登場した「応用物理学会」
技術レター［ＬＳＩ製造］〜ＮＡＮＤ型フラッシュ １Ｇチップの製品発表で 韓国Ｓａｍｓｕｎｇが先行
技術レター［ＬＳＩ製造］〜ＳＰＭ応用のＥＢ露光技術を 日立基礎研が開発 試作で線幅２５ｎｍが可能
