技術レター［パッケージ＆ＬＣＤ］〜システム液晶目指し　低温多結晶Ｓｉの移動度を　向上する技術開発が活発化
日経マイクロデバイス　第195号　2001.9.1

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掲載誌	日経マイクロデバイス　第195号（2001.9.1）
ページ数	1ページ　（全433字）
形式	PDFファイル形式　（24kb）
雑誌掲載位置	39ページ目

低温多結晶Ｓｉ−ＴＦＴ液晶システム　液晶パネルへのシステム機能の搭載を目指し，低温多結晶Ｓｉの移動度を向上する技術開発が活発化している。富士通研究所は，従来のエキシマ・レーザー結晶化技術の代わりにエネルギー安定性が高い半導体励起型の固体ＣＷ（ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ　ｗａｖｅ）レーザーを使う結晶化技術を開発した。ＣＷレーザーとは，エキシマ・レーザーのようにパルス発振ではなく，連続発振しているレーザーを…