技術レター［ＬＳＩ製造＆ＬＳＩ設計］〜大容量不揮発性メモリーへ　薄膜化と代替メモリーが　競う「ＮＶＳＭＷ」
日経マイクロデバイス　第195号　2001.9.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第195号（2001.9.1）
ページ数	1ページ　（全777字）
形式	PDFファイル形式　（26kb）
雑誌掲載位置	37ページ目

大容量化不揮発性メモリー学会　不揮発性メモリーの大容量化に向け，トンネル絶縁膜の新しい薄膜化技術とフラッシュ・メモリー代替を狙うメモリー技術に期待が集まっている姿が，８月１３日〜１５日に米国モントレーで開かれた「ＩＥＥＥ　２００１　ＮＶＳＭＷ　Ｎｏｎ−Ｖｏｌａｔｉｌｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｍｅｍｏｒｙ　Ｗｏｒｋｓｈｏｐ」に見えた。　薄膜化技術では，米Ｙａｌｅ大学と米Ｎｅｗ　Ｙｏｒｋ州立大学…