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日経マイクロデバイス　第194号　2001.8.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第194号（2001.8.1）
ページ数	3ページ　（全2916字）
形式	PDFファイル形式　（76kb）
雑誌掲載位置	183〜185ページ目

ＬＳＩ製造■ＡｒＦスキャン露光装置「ＮＳＲ−Ｓ３０６Ｃ」　２００３年に量産が始まる０．１μｍプロセスに対応できるＡｒＦエキシマ・レーザー・スキャン露光装置（図１）。解像度は，通常照明の場合で０．１２μｍ，変形照明の場合で０．１μｍ。高解像度化するため，従来は０．６８だった開口数（ＮＡ）を０．７８に引き上げた。スループットは，３００ｍｍウエーハの場合で８５枚／時，２００ｍｍウエーハの場合で１３５枚／…