技術レター［ＬＳＩ設計＆ＬＳＩ製造］〜相変化を利用した　携帯機器向け次世代　メモリーをＩｎｔｅｌが試作
日経マイクロデバイス　第194号　2001.8.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第194号（2001.8.1）
ページ数	1ページ　（全299字）
形式	PDFファイル形式　（24kb）
雑誌掲載位置	29ページ目

不揮発性メモリー携帯機器フラッシュ・メモリー　米Ｉｎｔｅｌ　Ｃｏｒｐ．が携帯機器向け次世代メモリーとして，米Ｏｖｏｎｙｘ，　Ｉｎｃ．と共同開発している「ＯＵＭ（Ｏｖｏｎｉｃ　Ｕｎｉｆｉｅｄ　Ｍｅｍｏｒｙ）」の進捗状況を明らかにした。ＯＵＭはカルコゲン化物を加熱し，低抵抗の結晶状態と高抵抗のアモーファス状態の相変化における抵抗値の変化を読み取る。書き換え時間が１００ｎｓ以下，書き換え回数は１０１２回…